경인통신

삼성전자, 평택 2라인에 낸드플래시 생산라인 구축 나서

5월 클린룸 공사 착수, 2021년 하반기 최첨단 V낸드 양산

이영애 | 기사입력 2020/06/01 [17:01]

삼성전자, 평택 2라인에 낸드플래시 생산라인 구축 나서

5월 클린룸 공사 착수, 2021년 하반기 최첨단 V낸드 양산
이영애 | 입력 : 2020/06/01 [17:01]

 

이미지① 평택캠퍼스 P2라인 전경.jpg
평택캠퍼스 P2라인 전경

 

[경인통신=이영애 기자] 삼성전자가 평택캠퍼스 2라인에 낸드플래시 생산라인을 구축하는 투자를 단행한다.

 

삼성전자는 지난 5월 평택 2라인에 낸드플래시 생산을 위한 클린룸 공사에 착수했으며, 2021년 하반기 양산을 시작할 계획이다.

 

이번 투자는 AI, IoT 4차 산업혁명 도래와 5G 보급에 따른 중장기 낸드수요 확대에 대응하기 위함으로, 최근 '언택트' 라이프스타일 확산으로 이런 추세가 더욱 가속될 것으로 예상되는 가운데, 삼성전자는 적극적인 투자로 미래 시장기회를 선점해 나간다는 전략이다.

 

지난 2015년 조성된 평택캠퍼스는 삼성전자의 차세대 메모리 전초기지로서 세계 최대규모의 생산라인 2개가 건설됐으며, 이번 투자로 증설된 라인에서는 삼성전자의 최첨단 V낸드 제품이 양산될 예정이다.

 

삼성전자는 2002년 낸드플래시 시장 1위에 올라 현재까지 18년 이상 독보적인 제조, 기술경쟁력으로 글로벌 시장 리더의 자리를 지키고 있으며 지난 해 7월 업계 최초로 6세대(1xx) V낸드 제품을 양산한 바 있다.

 

삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실 최철 부사장은 이번 투자는 불확실한 환경 속에서도 메모리 초격차를 더욱 확대하기 위한 노력이라며 최고의 제품으로 고객 수요에 차질 없이 대응함으로써 국가경제와 글로벌 IT산업 성장에 기여할 것이라고 말했다.

 

삼성전자는 국내에는 화성과 평택, 해외에는 중국 시안에 낸드플래시 생산라인을 운영 중이며, 국내외 균형있는 투자를 통해 안정적인 글로벌 공급망을 유지하고 시장리더십을 더욱 강화할 예정이다.

 

삼성전자 V낸드양산연혁


2013.07  1세대(24) 128Gb MLC 3D V낸드 양산
2013.08  1세대 128Gb MLC 3D V낸드 기반 960GB SSD 양산
2014.08  2세대(32) 128Gb 3bit 3D V낸드 양산
2014.09  2세대 V낸드 기반 SSD 양산
2015.08  3세대(48) 256Gb 3bit 3D V낸드 양산
2015.09  3세대 V낸드기반 SSD '850 EVO', '950 PRO' 런칭
2016.12  4세대(64) 256Gb 3bit 3D V낸드 양산
2017.01  4세대 V낸드 기반 SSD 양산
2018.01  4세대 512Gb V낸드 기반 30.72TB SAS SSD 양산
2018.05  5세대(9x) 256Gb 3bit 3D V낸드 양산
2018.06  5세대 V낸드 기반 SSD 양산
2019.06  6세대(1xx) 256Gb 3bit 3D V낸드 양산
2019.07  6세대 V낸드 기반 SSD 양산

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